Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
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Verlustleistung W (DC)
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250NPBF
Bestellnr.:
 24S3301
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFP250NPBF
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Gesamtpreis: 2,07 € *
1 Stk.
2,0706 €
25 Stk.
1,7493 €
100 Stk.
1,6184 €
250 Stk.
1,5470 €
1000 Stk.
1,4161 €
N-Kanal
200 V
30 A
75 mΩ
TO-247
214 W
THT
-55 °C
175 °C